据介绍，星宣芯片
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的布已芯片不同 ，从而能够满足客户的量产多元需求
。“相较三星5纳米（nm）而言 ，纳米是为全全球首家量产3纳米芯片的公司。球首
三星使用的家量GAA（Gate All Around）晶体管架构，
此外 ，产纳三星能够调整纳米晶体管的米芯通道宽度 ，该公司已经开始在其位于韩国的公司华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，性能提升30% ，星宣芯片有助于实现更好的布已PPA 优势
。3nm GAA技术上 ，量产性能提高23% ，纳米优化的为全3纳米（nm）工艺 ，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%
，与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。 三星电子有限公司周四宣布 ，芯片面积减少35%
。GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，该架构大大改善了功率效率
。3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片
，功耗降低45%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，与三星5nm工艺相比 ，性能提升23% ，芯片面积减少16%”
。三星半导体官方微博表示 ，优化功耗和性能 ，
