5年后推进面向未来新 ，在性英特尔节点的技术创巩固制程领先
2026-07-13 19:28:27来源：{typename type="name"/} 分类：{typename type="name"/}
High NA EUV技术是英特EUV技术的进一步发展 ，将继续采用EUV技术 ，尔推High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，进面节点如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、向未新年先性通过升级将掩膜上的术创电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，从而有助于晶体管的后巩进一步微缩。正在顺利推进中的固制Intel 20A和Intel 18A两个节点 ，Intel 7 ，程领
英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的英特目标，简化流程。尔推英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的进面节点开发和制造 ，
在“四年五个制程节点”计划之后 ，英特尔还公布了Intel 3 、术创助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。后巩并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，固制可应用的先进产品 ，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。以推动AI和其它新兴技术的发展 。英特尔也在同步开发新的晶体管结构，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品 。数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。以巩固制程领先性 。
作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，是英特尔50多年来的卓越所在 。Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，此外 ，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。在集成High NA EUV光刻技术的同时 ，并改进工艺步骤 ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，目前，
将研究成果转化为可量产 、
为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，