IT之家了解到，星携量产进度陷入瓶颈。手美善纳



    报道中称 ，米良在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。率希三星已经与美国的望赶SiliconFrontlineTechnology公司合作
，三星电子先进制程良率非常低，超台是积电由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的
。ESD是星携造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的手美善纳问题 ，    援引韩媒Naver报道，米良自5纳米制程开始一直存在良率问题，率希良率不超过20%，望赶以提高其半导体芯片在生产过程中的超台良率，帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进
。积电并取得了令人满意的星携结果 。以便于在3纳米工艺上赶超台积电
。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，据报道 ，该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。
因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，